交通大學 前瞻固態記憶體 - 課程

※ [本文轉錄自 Refresh 看板 #1IGLlUnJ ]

作者: suehung001 (suehung) 看板: Refresh
標題: [新竹] 交通大學 前瞻固態記憶體
時間: Tue Sep 24 17:31:07 2013

課程名稱 P102213 前瞻固態記憶體

開課時數 12小時

上課費用 一般價4,000元

特約廠商、3人以上團報3,000元 峡查詢特約商明錄 峡立即加入特約廠商

同單位五人以上團報2,000元

開課日期 102年9月18日至10月9日 每週三 18:30~21:30

開課地點 交通大學工程四館教室（教室地點於課前，以行前通知另行公佈）

地址：新竹市大學路1001號

招生對象 半導體產業暨相關系統業者之在職人士或有相關技術需求者

課程目標 本課程將深入淺出地針對未來記憶體元件之運用與技術發展作一系統性的介紹

，首先將闡述現今記憶體技術之微縮挑戰，接著將簡介各式運用電荷儲存、鐵電、磁阻、
相變、氧化還原與微機電系統之新興記憶體元件，講授重點為元件之操作原理、優缺點以
及當前之研究課題等。適合有興趣了解未來固態記憶體元件發展趨勢之在職或在學人員參
加，選修者應具備半導體元件物理之基礎知識。
課程大綱 現今高密度快閃記憶體以浮閘結構為主流，但元件漏電流、位元間干擾與可靠
性問題，使其未來發展遭遇極大瓶頸難以突破。針對此，多項新興元件技術被提出與嘗試
。未來高儲存容量的固態記憶體(SSD)等產品，極有可能由這些新技術所演變而來。本課
程整理與講授多種前瞻固態記憶體技術的觀念、重點以及發展現況，對於此領域的研發人
員將會有極大的幫助。
1. Prospects of the future memory technology development
2. Technology scaling challenges on the present memory devices
3. Next-generation floating-gate nonvolatile memory
3-1. SONOS 3-2. Nanocrystal memory
4. Emerging memory technologies
4-1. Zero capacitor RAM (Z-RAM) 4-2. Ferroelectric RAM (FeRAM)
4-3. Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)
4-4. Spin-torque-transfer MRAM (STT-MRAM)
4-5. Phase-change RAM (PCRAM) 4-6. Resistive-switching RAM (RRAM)
4-7. Nanotube RAM (NRAM) 4-8. MEMS-based Millipede memory

授課師資 侯拓宏 教授
峡現職：交通大學電子系教授
峡經歷：International SEMATECH, TX研究員、台積電先進模組技術處資深工程師
峡學歷：康乃爾大學電機系博士
峡專長：奈米記憶體元件 (Nanoscale Nonvolatile Memory)
分子電子元件 (Molecular Electronics)
奈米製程技術 (Nanotechnology)
半導體元件物理 (Semiconductor Device Physics)

報名網址:http://submic.ee.nctu.edu.tw/curriculum/curriculum.php?Sn=413

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